S-8224A/Bシリーズは、高精度電圧検出回路と遅延回路を内蔵したリチウムイオン二次電池セカンドプロテクト用ICです。
各セル間をショートすることにより、2 ~ 4セル直列接続に対応できます。
S-8224BシリーズはCO端子出力電圧を11.5 V max.に制限するため、ゲート耐圧12 VのFETの使用が可能です。
特長
- 各セルに対する高精度電圧検出回路
- 過充電検出電圧n (n = 1 ~ 4)
3.600 V ~ 4.700 V (50 mVステップ) :
精度±20 mV (Ta = +25°C)
精度±25 mV (Ta = −10°C ~ +60°C) - 過充電ヒステリシス電圧n (n = 1 ~ 4)*1
0.0 mV ~ −550 mV (50 mVステップ)
−300 mV ~ −550 mV : 精度±20%
−100 mV ~ −250 mV : 精度±50 mV
−50 mV : 精度±25 mV
0.0 mV : 精度−25 mV ~ +20 mV - 過充電検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)
- 過充電検出遅延時間を選択可能 : 1 s, 2 s, 4 s, 6 s, 8 s
- 過充電解除遅延時間を選択可能 : 2 ms, 64 ms
- タイマリセット遅延回路内蔵
- CTL端子による出力制御機能
- 出力形態を選択可能 (S-8224Aシリーズ)
- CMOS出力、Nchオープンドレイン出力
- 出力論理を選択可能 (S-8224Aシリーズ)
- アクティブ "H"、アクティブ "L"
- CO端子出力電圧を11.5 V max.に制限 (S-8224Bシリーズ)*2
- 高耐圧
- 絶対最大定格28 V
- 広動作電圧範囲
- 3.6 V ~ 28 V
- 広動作温度範囲
- Ta = −40°C ~ +85°C
- 低消費電流
- 動作時 (各セルVCU − 1.0 V) : 0.25 μA typ., 0.6 μA max. (Ta = +25°C)
- 過放電時 (各セルVCU × 0.5 V) : 0.3 μA max. (Ta = +25°C)
- 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
*1. 過充電ヒステリシス電圧は、以下の式で計算される範囲で選択してください。(過充電検出電圧n) + (過充電ヒステリシス電圧n)≧3.4 V
*2. 出力論理はアクティブ "H" のみとなります。
用途
- リチウムイオン二次電池セカンドプロテクト用