特点

内置高精度电压检测电路: 过充电检测电压
　3.700 V~4.550 V: ±25 mV精度(+25°C)、
　(进阶单位为5 mV)　±50 mV精度(-40°C ～ +85°C); 滞后
　可选择5种中的任意一种
　0.38±0.1 V、0.25±0.07 V、0.13±0.04 V、0.045±0.02 V、无
高耐压: 绝对最大额定值　26 V
宽工作电压范围: 3.6 V ～ 24 V (过电压检测后延迟电路正常工作的范围)
可通过外接部件的容量来设置检测时的延迟时间
低消耗电流: 各节3.5 V时　3.0 µA 最大值（+25°C）; 各节2.3 V时　2.4 µA 最大值（+25°C）
输出方式、输出逻辑: 可选择5种中的任意一种; CMOS输出动态“H”; CMOS输出动态“L”; Pch开路漏极输出动态“L”; Nch开路漏极输出动态“H”; Nch开路漏极输出动态“L”
（滞后0.045 V的产品为CMOS输出或者Nch开路漏极输出）
无铅(Sn 100%)、无卤素

用途